Tüm ürünler
anahtar kelimeler [ n channel mosfet low threshold voltage ] eşleşme 7 Ürünler.
Çok amaçlı düşük güçlü Mosfetler, N kanallı Mosfetler Düşük Sınır Voltajı
| EAS yeteneği: | Yüksek EAS Yeteneği |
|---|---|
| Yapı süreci: | Hendek/SGT |
| Hendek süreci uygulaması: | Kablosuz Şarj, Hızlı Şarj, Motor Sürücüsü, DC/DC Dönüştürücü, Yüksek Frekans Anahtarı, Senkron Düzel |
Küçük RSP Düşük Voltajlı MOSFET Çoklu Sahne N Kanal Düşük Sınır
| EAS yeteneği: | Yüksek EAS Yeteneği |
|---|---|
| SGT prosesinin avantajları: | Daha Fazla Uygulamayı Kapsayan Çığır Açan FOM Optimizasyonu. |
| SGT süreci Başvurusu: | Motor Sürücüsü, 5G Baz İstasyonu, Enerji Depolama, Yüksek Frekans Anahtarı, Senkron Doğrultma. |
Motor Sürücü Düşük Kapı Voltajı Mosfet, Çoklu Sahne Düşük Vgs N Kanal Mosfet
| Hendek Prosesinin Avantajları: | Daha Küçük RSP, Hem Seri Hem Paralel Yapılandırmalar Serbestçe Birleştirilebilir ve Kullanılabilir. |
|---|---|
| Rezistans: | Düşük Rds(AÇIK) |
| Hendek süreci uygulaması: | Kablosuz Şarj, Hızlı Şarj, Motor Sürücüsü, DC/DC Dönüştürücü, Yüksek Frekans Anahtarı, Senkron Düzel |
Çok amaçlı düşük voltajlı FET, dayanıklı düşük güçlü N kanallı Mosfet
| Rezistans: | Düşük Rds(AÇIK) |
|---|---|
| Hendek süreci uygulaması: | Kablosuz Şarj, Hızlı Şarj, Motor Sürücüsü, DC/DC Dönüştürücü, Yüksek Frekans Anahtarı, Senkron Düzel |
| Yapı süreci: | Hendek/SGT |
Hızlı Şarj Alçak Voltajlı MOSFET Motorlu Sürücüye N Kanal Çok Kullanımlı
| Güç tüketimi: | Düşük Güç Kaybı |
|---|---|
| EAS yeteneği: | Yüksek EAS Yeteneği |
| Yapı süreci: | Hendek/SGT |
N Kanal Düşük Voltajlı MOSFET DC DC dönüştürücü için Sabit Yüksek EAS
| Güç tüketimi: | Düşük Güç Kaybı |
|---|---|
| Hendek Prosesinin Avantajları: | Daha Küçük RSP, Hem Seri Hem Paralel Yapılandırmalar Serbestçe Birleştirilebilir ve Kullanılabilir. |
| Ürün Adı: | Alçak Gerilim MOSFET |
Enerji Depolama Düşük Voltajlı MOSFET Pratik N Kanalı Yüksek EAS Kapasitesi
| EAS yeteneği: | Yüksek EAS Yeteneği |
|---|---|
| Hendek Prosesinin Avantajları: | Daha Küçük RSP, Hem Seri Hem Paralel Yapılandırmalar Serbestçe Birleştirilebilir ve Kullanılabilir. |
| Yapı süreci: | Hendek/SGT |
1