Todos los productos
Persona de Contactar Ahora :
Joan Tian
Número de teléfono :
+86 18825898464
Whatsapp :
+8618825809850
Palabras clave [ n channel mosfet low threshold voltage ] partido 7 productos.
Mosfets de baja potencia multipropósito, N canal Mosfet baja tensión de umbral
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
MOSFET de baja tensión de RSP pequeño de escenas múltiples N canal de umbral bajo
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
Conductor de motor de baja tensión Mosfet, Multiscene baja Vgs N canal Mosfet
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
|---|---|
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
FET de baja tensión multipropósito, Mosfet de baja potencia duradero de canal N
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
|---|---|
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
MOSFET de carga rápida de baja tensión N canal multipropósito para conductor de motor
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
|---|---|
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
MOSFET de baja tensión de canal N EAS estable y alto para convertidor de CC a CC
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
|---|---|
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
| Nombre del producto: | MOSFET de bajo voltaje |
Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión Práctico de N canales Alta capacidad EAS
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
1