ключевые слова [ metal oxide super junction transistor ] соответствие 15 продукты.
Купить Транзистор с металлическим оксидом многофункциональный для промышленности онлайн производитель

Транзистор с металлическим оксидом многофункциональный для промышленности

Внутреннее сопротивление: Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Преимущества: Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Купить Промышленный стабильный суперсоединительный транзистор, теплорассеивающий дискретный Мосфет онлайн производитель

Промышленный стабильный суперсоединительный транзистор, теплорассеивающий дискретный Мосфет

Допустимый предел EMI: Большой допустимый предел EMI
Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Тип: N
Купить Многоцелевой суперсоединительный MOSFET N типа 600V для светодиодного драйвера онлайн производитель

Многоцелевой суперсоединительный MOSFET N типа 600V для светодиодного драйвера

Преимущества: Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Пакет: Ультра небольшой пакет
Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Купить Промышленный многослойный процесс N-канального суперсоединения MOSFET онлайн производитель

Промышленный многослойный процесс N-канального суперсоединения MOSFET

Внутреннее сопротивление: Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Преимущества: Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Купить Многоцелевой MOSFET с суперсоединением типа N для переключения источника питания онлайн производитель

Многоцелевой MOSFET с суперсоединением типа N для переключения источника питания

Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Преимущества: Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Допустимый предел EMI: Большой допустимый предел EMI
Купить Практическая многофункциональная система сверхсоединения типа N для преобразователей онлайн производитель

Практическая многофункциональная система сверхсоединения типа N для преобразователей

Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Внутреннее сопротивление: Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Купить N-канал сверхсоединения MOSFET многофункциональный для питания UPS онлайн производитель

N-канал сверхсоединения MOSFET многофункциональный для питания UPS

Тип: N
Внутреннее сопротивление: Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Купить Противоперебои MOSFET Super Junction N Channel Прочный многоцелевой онлайн производитель

Противоперебои MOSFET Super Junction N Channel Прочный многоцелевой

Внутреннее сопротивление: Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Допустимый предел EMI: Большой допустимый предел EMI
Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Купить Электроснабжение сверхсоединение MOSFET поверхность монтаж многофункциональный онлайн производитель

Электроснабжение сверхсоединение MOSFET поверхность монтаж многофункциональный

Применение: Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил
Преимущества: Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
Купить 600В прочный суперсоединение MOSFET многоцелевое небольшое внутреннее сопротивление онлайн производитель

600В прочный суперсоединение MOSFET многоцелевое небольшое внутреннее сопротивление

Тип прибора: Приборы силы дискретные
Тип: N
Наименование продукта: Супер соединение MOSFET/SJ MOSTET
1 2